DG636EEN-T1-GE4规格书及使用参数？

描述

DG636E为双SPDTCMOS，模拟开关，

设计从+3v到+16v单电源，或

±3v至±8v，双电源。DG636E满配

规定为+3v，+5v和±5v。

DG636E提供超低充注小于

整个信号范围内的漏电流为±0.4pC

25°C时典型的13pa。抗性为63typ，

和低寄生电容3.7pF源关断，和

8.4pFDrainon。该部分是理想的模拟前端，数据

采集和样品和保存设计提供快速和

精密信号切换。

DG636E支持将两路输入中的一路切换到公共路

输出由3位二进制地址行决定:A0，

A1和EN。每个开关在两者中都具有同等良好的性能

方向打开时，阻塞输入电压至电源

关闭时保持水平，开关前展品断开

行动。

所有控制逻辑输入均保证2v逻辑高限值

当工作在+5v或±5v电源和1.4V时

从3v电源运行。

DG636E工作温度范围为

-40°C~+125°C。它可在14个领先的TSSOP和

节省空间1.8封装。
规格

产品属性

属性值

制造商:

Vishay

产品种类:

模拟开关IC

RoHS:

详细信息

安装风格:

SMD/SMT

封装/箱体:

QFN-16

通道数量:

2Channel

配置:

2xSPDT

导通电阻—最大值:

129Ohms

电源电压-最小:

3V

电源电压-最大:

16V

最小双重电源电压:

+/-3V

最大双重电源电压:

+/-8V

运行时间—最大值:

58ns

空闲时间—最大值:

61ns

最小工作温度:

-40C

最大工作温度:

+125C

封装:

Reel

封装:

CutTape

封装:

MouseReel

商标:

Vishay/Siliconix

Pd-功率耗散:

525mW

产品类型:

AnalogSwitchICs

工厂包装数量:

3000

子类别:

SwitchICs

电源电流—最大值:

1uA

电源类型:

SingleSupply,DualSupply

开关直流:

-1nA

单位重量:

2g

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